タイプ | 説明 |
製造元 | Texas Instruments |
シリーズ | NexFET™ |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 4-UFBGA, DSBGA |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 34mOhm @ 1A, 4.5V |
消費電力(最大) | 1.2W (Ta) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.1V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 4-DSBGA (1x1) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (最大) | ±8V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 462 pF @ 6 V |