ソリューションプロバイダー
0
%
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Texas Instruments |
| シリーズ | NexFET™ |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 構成 | 2 N-Channel (Dual) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| パワー - 最大 | 2.3W |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 5A |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 353pF @ 15V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 32.4mOhm @ 4A, 10V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| FETの特徴 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-WSON (2x2) |
