| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Texas Instruments |
| シリーズ | NexFET™ |
| パッケージ | テープ&リール(TR) |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 構成 | 2 N-Channel (Dual) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| パワー - 最大 | 2.1W |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 15A |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1400pF @ 30V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.6V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |
